TSM260P02CX RFG
Номер на продукта на производителя:

TSM260P02CX RFG

Product Overview

Производител:

Taiwan Semiconductor Corporation

Номер на част:

TSM260P02CX RFG-DG

Описание:

-20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO
Подробно описание:
P-Channel 20 V 6.5A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23

Инвентар:

8890 Брой Нови Оригинални На Склад
12965586
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

TSM260P02CX RFG Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Taiwan Semiconductor
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.8V, 2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1670 pF @ 15 V
Функция на FET
Standard
Разсейване на мощността (макс.)
1.56W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SOT-23

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове

Допълнителна информация

Стандартен пакет
3,000
Други имена
1801-TSM260P02CXRFGCT
1801-TSM260P02CXRFGDKR
TSM260P02CX
1801-TSM260P02CXRFGTR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
3 (168 Hours)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
vishay-siliconix

SI5406CDC-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

littelfuse

LSIC1MO120G0160

MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L

vishay-siliconix

SI2323DS-T1

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

vishay-siliconix

SIHFR1N60A-GE3

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA